蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜的制备方法有物理蒸镀（PVC)和化学蒸镀（CVC)两大类。根据具体实施方法的不同，又有如下种种方法。阻隔膜生产设备

1.物理蒸镀
物理蒸镀亦称物理气相沉积法，包括电阻丝蒸镀、电子束蒸镀以及溅射等。其中电阻式蒸镀和电子束蒸镀需在高温下使SiO2汽化，而溅射沉积应用单元素靶材溅射，具有沉积温度低、沉积速率高、靶材不受限制、镀膜质量好的
优点。

（1)电阻丝蒸镀法

电阻丝蒸发镀法是在真空室中，用电阻丝加热SiO2,温度可达1700℃,高温及真空使SiO2以原子或分子的形态从其表面汽化逸出，形成蒸气流，该蒸气流在基材表面沉积，形成含SiOx镀层的阻隔性包装薄膜。

（2)电子束蒸发镀膜法

电子束蒸发镀膜法是将 SiO2放入水冷铜坩埚中，直接利用电子束加热，使之蒸发汽化，然后凝结在基材的表面上形成含SiOx镀层的阻隔性包装薄膜。电子束轰击热源的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量密度，蒸发温度高（电子束加热能量达20kW/c㎡,温度更可达3000~6000℃),因而特别适合制作高熔点薄膜类材料和高纯薄膜材料，而且能有较高的蒸发速度。由于热量可直接加到蒸镀材料的表面，因而热效率高，热传导和热辐射的损失少，所生产的SiOx阻隔性包装薄膜的阻隔性，较之电阻丝蒸镀法生产的产品，也有显著提高。

（3)溅射法

溅射法亦称磁控溅射法或高速低温溅射法。用单元素靶材溅射并倒入反应气体进行的反应称为反应溅射，通过调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜镀层的组成来调控薄膜特性的目的。磁控溅射法与蒸发法相比，具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。磁控溅射的其他优点有设备简单、操作方便等，在溅射镀膜过程中，只要保持工作气压和溅射功率恒定，基本上即可获得稳定的沉积速率。最大缺点是沉积速率相对较低，此外可能发生靶中毒、引起的打火和溅射过程不稳定以及膜的缺陷等，这些限制了它的应用，因此尚有待进一步改进。

2.化学蒸镀（PECVD)
化学蒸镀亦称等离子体增强化学气相沉积或等离子体聚合气相沉积，是利用等离子体手段产生电子、离子及活性基团，在气态或基体表面进行化学反应。等离子体增强化学气相沉积技术，利用射频（RF)电源产生辉光放电（射频电源放电方式可以设置为连续放电方式或脉冲放电方式）或者微波（MW)放电来离解反应气体，形成等离子体，等离子体与基膜表面发生相互作用并沉积成膜。谷吉海等曾在包装工程中，对PECVD蒸镀技术的原理、特点和应用及陶瓷膜蒸镀技术的发展趋势进行了展望。

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