一、影响蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜性能的因素

蒸镀基膜、蒸镀方法、蒸镀条件以及蒸镀涂层的组成、蒸镀层的厚度等，都可能对蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的性能产生巨大的影响，主要可以列举如下。www.susumino.com南京住野精工阻隔膜生产线

1.基材的选择性
如前所述，蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的阻隔性依靠于SiOx涂层，因此在蒸煮处理过程中，不能破坏该涂层。蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜通常与其他薄膜复合，制造蒸煮薄膜，选择蒸煮基材应当注意如下几个问题。

（1)塑料薄膜的类型

蒸镀的氧化硅膜与塑料薄膜之间的黏合牢度与塑料基膜种类之间有较大的关系，PET、PVC等极性较大的薄膜与氧化硅间的黏合性较佳，而非极性的薄膜，与氧化硅间的黏合力则比较差。

（2)塑料薄膜表面状态

蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的阻隔性，除了受蒸镀层的厚度影响之外，更大程度上决定于氧化硅镀层的均匀性。裂缝、针孔等缺欠，会导致蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的阻隔性明显下降，缺陷的形成除了蒸镀层本身的化学成分与结构之外，所用基膜的表面平滑性，也是一个重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸镀缺陷，但适量的粗糙度会使蒸镀层和基膜的表面之间形成物理锚接，改善层间黏合力。

（3)塑料薄膜的表面预处理状况

为了得到优质的蒸镀薄膜，对基膜进行适度的表面电晕处理是十分必要的。塑料薄膜经过表面电晕处理，可在其表面形成氧化层（通过交联、臭氧化、羧基化、硝基化等多种复杂的化学反应，将氧、氮等原子及原子团引入到塑料薄膜的表面上），增大基膜与蒸镀涂层之间的结合力。在预处理设备一定的情况下，如果预处理时间不足，表面改性不充分，将导致基膜与涂层之间的结合牢度下降；预处理时间过长，可能引起基膜较深层次的界面弱化，产生基膜自身的弱界面层，也会引起基材表面和蒸镀层间的结合力下降。
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2.蒸镀工艺条件对蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜性能的影响

不论采用物理蒸镀或者化学蒸镀，蒸镀工艺条件都可能对蒸镀型氧化硅阻隔性包装薄膜的性能产生显著的影响，因此应当尽可能采用有利于提高蒸镀薄膜阻隔性的工艺条件。

（1)采用物理蒸镀时，

真空度的高低、基材薄膜的温度、电子枪的功率、蒸镀原料SiO2的形状、真空室中氧气导入的速度、蒸镀涂层的厚度（决定于蒸镀时间与蒸发功率）等均会影响最终产品的性能。

①蒸镀时真空度越高，越有利于SiO2的蒸发，制得的蒸镀膜的质量越高。

②蒸镀时塑料基膜的温度高，有利于蒸发的SiO,在塑料基膜上沉积、形成致密的涂层并有利于提高蒸镀层与塑料基膜间的黏结度，因此适当提高塑料基膜的温度，有利于提高蒸镀薄膜的质量。

③采用电子枪轰击、蒸发SiO2时，宜使用块状的SiO2,因为粉状的SiO2在受电子枪轰击时，易产生粉末溅射现象，影响蒸镀膜的质量，而粉状SiO2则有利于电阻加热蒸发。

④氧气的导入速度影响蒸镀层的组成，即SiOx中Si原子数与0原子数的比值，氧的量越大，即x的值越大，蒸镀层向透明性提高的方向移动，但阻隔性有降低的趋势。当x等于2时，得到阻隔性能差的、无色透明的蒸镀层，通常x控制在1.5~1.8之间以获得兼具高阻隔性及良好透明性的蒸镀氧化硅薄膜。www.susumino.com南京住野精工阻隔膜生产线

蒸镀层的厚度增加，蒸镀膜的阻隔性增加，但当蒸镀层的厚度超过50nm时，蒸镀层的厚度再进一步增大，蒸镀膜的阻隔性基本保持不变，因此不能指望依靠降低生产线的线速度（增加蒸镀时间）、增加蒸镀层的厚度的办法，无限度地提高蒸镀薄膜的阻隔性。

（2)化学蒸镀中，高频电磁波或微波频率的选择，应与离子化气氛中的离子化能量以及蒸镀材料离子化所需要的能量相匹配，高频电磁波一般选用13.56MHz,微波一般选用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可获得优良的蒸镀效果，而物理蒸镀时则需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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